2021年7月20日，韩国知识产权局网站发布半导体芯片制程技术专利趋势分析报告，研究发现，引领半导体芯片制程技术的鳍式场效应晶体管技术（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）正在失势，全环栅晶体管技术（Gate all around Field Effect Transistor，GAAFET）正在兴起。

随着智能手机市场竞争激烈，目前5nm制程工艺制造的半导体芯片的性能相比现有7nm制程工艺有很大提升。未来人工智能等技术领域需要处理的数据量将急剧增加，为了处理大量数据，需要比目前5nm制程工艺更精密的3nm制程工艺。因此，相对于FinFET更先进的下一代半导体微型化技术竞争也将更加激烈。主要分析结论如下。

研究分析五大知识产权局（IP5）半导体芯片制程技术的专利年度趋势，此前一直作为半导体芯片制程技术支柱的FinFET技术专利申请量从2017年开始下降，而新出现的GAAFET 技术专利申请量显著增长。如图1所示，FinFET技术在2017年达到1,936件的峰值，2018年和2019年分别下降至1,636件和1,560件，2020年预计^[[1]]将达到1,508件。GAAFET 技术相关专利申请量年增长近30%，2020年预计将达到391件。 图2是半导体芯片制程技术IP5技术领域分布情况。

图 1  半导体芯片制程技术IP5专利申请年度趋势（2011-2020）^[[2]]

图 2  半导体芯片制程技术IP5技术领域分布

（1）如表1所示，FinFET技术主要专利申请人排名依次为台积电（30.7%）、中芯国际（11%）、三星电子（8.6%）、IBM（8.1%）、格罗方德（GlobalFoundry）（5.4%）等，FinFET技术呈现中国、韩国、美国企业竞争的态势。GAAFET技术专利主要专利申请人排名依次为台积电（31.4%）、三星电子（20.6%）、IBM（10.2%）、格罗方德（GlobalFoundry）（5.5%）、英特尔（4.7%）等，GAAFET 技术呈现以台韩企业引领、美国企业追赶的态势。

表 1  半导体芯片制程技术IP5国家Top10专利申请人

（2）分析全球企业GAAFET专利动向研究发现（表2至表4），台积电和三星电子将在GAAFET技术展开激烈的竞争。据悉，三星电子计划在2022年的3nm制程工艺开始应用GAAFET技术，或成为全球首个对该技术的产业应用。台积电已宣布在2023年的2nm制程工艺开始引进GAAFET 技术。FinFET技术领域位居第二的中芯国际目前并未进入GAAFET技术排名。分析认为，尖端半导体领域的竞争主要是在美国、韩国、中国台湾之间。

表  2  半导体芯片制程技术美国Top5专利申请人

表  4  半导体芯片制程技术韩国Top5专利申请人

（3）韩国知识产权局表示，目前世界上采用5nm以下制程工艺技术制造半导体芯片的企业只有台积电和三星电子，但近期美国英特尔公司进军芯片制造行业，拜登政府也集中投资半导体技术，预计尖端半导体技术竞争将变得更加激烈。因此，率先革新技术是防止后来者进入该行业的最佳捷径。